Simone10.3.3 类石墨烯材料，Graphene-like Materials
的有关信息介绍如下：
类石墨烯材料（Graphene-like Materials）是具有与石墨烯相似的二维层状结构或能带特征的材料，主要包括硅烯、MoS?等，其研究旨在突破石墨烯零带隙限制，拓展在电子学、光电子学等领域的应用潜力。
单原子层硅晶体薄膜，六边形蜂窝状晶格，易弯曲，晶格常数不固定，sp2/sp3杂化比例可变。
在第一布里渊区K点存在π键和π*键，形成克拉克圆锥（类似石墨烯的狄拉克锥）。
能带隙：零带隙，但可通过电场（0~1.03 V/?）连续调节（范围0~0.16 eV）。
载流子：导带和价带能带呈线性，载流子为无质量费米子。
抗氧化性：硅烯纳米带抗氧化能力极强，氧气中开始氧化所需浓度比硅表面高10?倍。
拓扑相变：施加电场时可从拓扑绝缘体转变为能带绝缘体，临界电场下产生螺旋零模式，形成量子线或量子点。
工艺兼容性：与硅基工艺兼容，便于器件集成。
硼化物表面外延生长：在超高真空下于ZrB?（0001）面自发外延生成硅烯。
Ag单晶表面沉积：在Ag（001）、（011）、（111）面制得平行于{110}方向的硅烯纳米带（宽度0.8 nm或1.6 nm）。
六方晶系，单层由“Mo-S-S”三明治夹心结构组成（中间Mo原子层，上下S原子层），层内共价键结合，层间范德瓦尔斯力结合。
多层MoS?层间距为0.65 nm。
能带隙：块状为间接带隙（1.29 eV），单层为直接带隙（1.90 eV），且随层数增加能带隙减小（范围1.29~1.90 eV）。
电子迁移率：约100 cm2/(V·s)，低于硅但高于非晶硅和有机半导体。
其他特性：储量丰富、无毒、价格低廉，具有独特电学、热学、力学和光学性质。
机械剥离法：通过胶带剥离获得单层或多层MoS?。
化学气相沉积（CVD）：在衬底上生长大面积均匀薄膜。
电子学：场效应晶体管、逻辑电路。
光电子学：光电探测器、光发射器、太阳能电池。
柔性显示：透明导电电极、柔性显示屏。
