光刻机ma8的技术规格详解

光刻机ma8的技术规格详解

MA8是德国SUSS公司推出的光刻设备，包含MA/BA8 Gen3、MA/BA8 Gen4等型号，以下为其详细技术规格一、 适用范围（一） 晶圆适配1. 支持8英寸晶圆，向下兼容10mm*10mm碎片，同时兼容2、3、4、5、6英寸晶圆及＞6mm碎片。（二） 掩膜版适配1. 支持5*5、9*9英寸掩膜版，同时兼容2、3、4、5、7英寸等尺寸掩膜版。二、 性能指标（一） 分辨率1. 基础分辨率：8英寸晶圆≤1.0μm，4英寸晶圆≤0.8μm；光刻胶厚度1微米时，分辨率优于1.5μm。2. 不同曝光模式分辨率：真空接触下达0.8μm，软接触模式下≤2.5μm，100μm间距接近式曝光模式下为8μm。（二） 对准精度1. 顶部对准精度≤±0.5μm，底部对准精度≤±1.0μm。2. 键合对准精度≤±2.0μm，正面对准精度优于±0.5μm，背面对准精度优于±1.0μm。（三） 光强均匀度1. 200mm圆片光强均匀度不高于±4%，8英寸晶圆光强均匀度为±2.5%。（四） 曝光模式1. 支持接近式、软接触、硬接触、真空接触四种曝光模式。2. 接近式曝光方式的间隙调节范围至少为0 - 300μm。三、 设备参数（一） 曝光光源1. 可选LED曝光灯或汞灯光源，波长覆盖350 - 450nm。2. LED光源功率为450W，365nm波段光强≥35 mW/cm²，支持恒定功率/剂量、恒定光强、恒定功率模式曝光。（二） 晶圆相关参数1. 最大支持晶圆厚度为10mm。（三） 显微镜行程1. 顶部显微镜：X轴行程不小于34 - 200mm，Y轴行程不小于±75mm。2. 底部显微镜：X轴行程不小于78 - 180mm，Y轴行程不小于±12mm。（四） 其他设备参数1. 物镜最小间距为29mm。2. 对准台移动范围：X、Y方向≥±5mm，θ方向≥±5.0°。四、 其他特性（一） 控制软件1. 主机通过计算机设定工艺参数，搭载基于Windows操作系统的图形化控制软件，具备工艺编程、设备控制、硬件自我故障诊断功能。（二） 对准模式1. 支持手动对准、计算机辅助对准、全自动对准三种对准模式。2. 正面对准显微镜支持高达400μm的大景深光刻对准技术，背面对准显微镜为X-Y方向全自动控制分离视场显微镜。（三） 厚度补偿1. 对准台搭载全自动非接触式芯片厚度补偿系统，可自动完成芯片厚度补偿。