SimoneCBM（物理学术语“导带底”）
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CBM（Conduction Band Minimum，导带底）是半导体材料导带中能量最低点的物理学术语，与价带顶（VBM）共同构成能带结构分析的核心参数 。常通过第一性原理计算获得 。
在半导体异质结研究中，CBM与VBM的相对位置决定能带对齐类型。Ⅱ型对齐结构中呈现“CBM_A>CBM_B”的特征，可有效分离光生载流子，适用于光催化分解水反应。例如GaN/MoS₂范德华异质结形成Ⅱ型能带结构，满足H⁺/H₂还原电位要求（−4.44 eV） 。β-Ga₂O₃等材料的CBM通常位于布里渊区Γ点附近 。
研究表明，应变调控（如双轴拉伸3%）和层间相互作用可改变CBM位置，实现能带对齐类型转变。As2I6双层的CBM在Γ-K方向具有谷简并度，层间作用可使其发生位置偏移 。
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