s9014的技术参数有哪些

s9014的技术参数有哪些

S9014是通用型NPN硅外延平面小信号三极管，主流技术参数符合GB/T 4025-2010半导体分立器件标准，常见封装为TO-92一、 绝对最大额定值（Tamb=25℃极限工况安全阈值）（一） 电压类参数1. 集电极-发射极击穿电压VCEO：45V，部分厂商规格为40V2. 集电极-基极击穿电压VCBO：50V3. 发射极-基极击穿电压VEBO：5V（二） 电流与功耗参数1. 连续集电极电流IC：100mA2. 脉冲集电极电流：500ms脉宽、占空比≤10%时可达500mA3. 最大功耗PC：625mW，环境温度超过25℃时需按5.6mW/℃降额4. 工作结温范围：-55℃~+150℃5. 存储温度范围：-65℃~+150℃二、 直流电气特性（标准测试条件：IC=2mA，VCE=5V，特殊标注除外）（一） 直流电流增益hFE1. 低增益档：60~1502. 高增益档：150~300（二） 集电极-发射极饱和压降VCE(sat)：≤0.3V（测试条件：IC=100mA，IB=10mA）（三） 基极-发射极正向压降VBE(on)：0.65V~0.85V（测试条件：IC=1mA，VCE=1V）（四） 集电极反向漏电流ICEO：≤0.1μA（测试条件：VCEO=40V，Tj=25℃）三、 交流电气特性1. 特征频率fT：典型值150MHz（测试条件：IC=10mA，VCE=5V，f=1MHz）2. 输出电容Cob：≤4pF（测试条件：VCB=10V，IE=0，f=1MHz）3. 输入电容Cib：≤8pF（测试条件同上）